有關(guān)pecvd試驗(yàn)報(bào)告
有關(guān)pecvd試驗(yàn)報(bào)告
篇一：設(shè)備驗(yàn)收?qǐng)?bào)告——PECVD
設(shè) 備 驗(yàn) 收 報(bào) 告
注：此報(bào)告一式兩份，甲方、乙方各存一份。
設(shè)備驗(yàn)收?qǐng)?bào)告附文
一、 驗(yàn)收依據(jù)
1、年月日，甲、乙雙方簽訂的PDT2A-01型管式PECVD鍍膜設(shè)備購(gòu)銷合同。
2、年月日，甲、乙雙方簽訂的PDT2A-01型管式PECVD鍍膜設(shè)備驗(yàn)收細(xì)則。
二、 驗(yàn)收項(xiàng)目
1、爐體溫度穩(wěn)定性 2、SiH4/NH3流量 3、系統(tǒng)極限壓力 4、系統(tǒng)漏氣率 5、工藝壓力 6、射頻輸出功率 7、單機(jī)產(chǎn)能 8、設(shè)備穩(wěn)定性 9、工藝效果驗(yàn)證
三、 驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)、方法
1.
爐體溫度穩(wěn)定性
檢驗(yàn)方法：將爐體恒溫區(qū)5個(gè)點(diǎn)的工藝溫度設(shè)為一致，范圍控制在350~500℃之間，保溫維持4小時(shí)，根據(jù)設(shè)定值與溫控表測(cè)量出的實(shí)際值相比較得出該指標(biāo)。 驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)：5個(gè)點(diǎn)的溫度波動(dòng)值控制在±2℃以內(nèi)
2、 SiH4/NH3流量
檢驗(yàn)方法：根據(jù)設(shè)定值與操作界面顯示值相比較得出該指標(biāo)。
驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)：≤±1%*總量程；SiH4流量允許偏差為±30sccm，NH3流量允許偏差為±70sccm。
3、 系統(tǒng)極限真空度
檢驗(yàn)方法：工藝溫度下（推薦450℃），正常啟動(dòng)抽真空流程，觀察限定時(shí)間內(nèi)（這里要求5分鐘內(nèi)）腔體真空壓力的極限值。
驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)：5分鐘內(nèi)真空壓力降到5Pa以下。
4、 系統(tǒng)漏氣率
檢驗(yàn)方法：工藝溫度下（推薦450℃），將爐體內(nèi)壓力用真空泵抽至真空狀態(tài)，保壓，點(diǎn)擊屏幕上的“漏氣率檢測(cè)”欄，查看1分鐘、5分鐘、24小時(shí)內(nèi)系統(tǒng)的平均漏氣率。 驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)：3Pa/min。
5、
工藝壓力
檢驗(yàn)方法：工藝壓力設(shè)定值和實(shí)際值之間的偏差。 驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)：±5Pa
6、 射頻輸出功率
檢驗(yàn)方法：設(shè)備正常運(yùn)行過(guò)程中，射頻電源輸出功率的波動(dòng)范圍。 驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)：±100W
7、 單機(jī)產(chǎn)能
檢驗(yàn)方法：不考慮裝卸舟操作過(guò)程，正常執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)工藝配方，測(cè)算10批的平均工藝節(jié)拍。 驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)：工藝節(jié)拍32min/批，168片/批（125mm硅片）
8、 設(shè)備穩(wěn)定性
檢驗(yàn)方法：設(shè)備進(jìn)入試用期，穩(wěn)定批量生產(chǎn)一周，無(wú)嚴(yán)重故障（指不發(fā)生導(dǎo)致生產(chǎn)過(guò)程停止的設(shè)備故障；排除人為因素）。 驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)：設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行一周。
9、 工藝效果驗(yàn)證
檢驗(yàn)方法：正常執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)工藝配方，隨機(jī)抽取3批（舟），每批（舟）插入10片拋光硅片（客戶自購(gòu)或自制），每片隨機(jī)測(cè)量5個(gè)點(diǎn)，根據(jù)150個(gè)膜厚、折射率的實(shí)測(cè)值得出均勻性指標(biāo)。 片內(nèi)均勻性的計(jì)算方法為：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max為每片5個(gè)測(cè)量值中膜厚、折射率最大值；Min為每片5個(gè)測(cè)量值中膜厚、折射率最小值）。
片間均勻性的計(jì)算方法為：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max為每批10片中膜厚、折射率平均值的最大值；Min為每批10片膜厚、折射率平均值的最小值）。
批間均勻性的計(jì)算方法為：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max為3批中每批膜厚、折射率平均值的最大值；Min為3批中每批膜厚、折射率平均值的最小值）。 測(cè)試手段：橢圓偏振儀，拋光硅片。 驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)：
膜厚：片內(nèi)、片間均勻性均小于±5%，批間均勻性小于±4%（以75±5nm為中心值）。 折射率：片內(nèi)、片間、批間均勻性均小于±3%（以2.05±0.05為中心值）。
四、 驗(yàn)收結(jié)果附表
篇二：半導(dǎo)體工藝實(shí)驗(yàn)報(bào)告 【交大】
半導(dǎo)體制造工藝實(shí)驗(yàn)
姓名：章葉滿 班級(jí)：電子1001 學(xué)號(hào)：10214021
一、氧化
E3:25.1:1.
go athena
#TITLE: Oxide Profile Evolution Example
# Substrate mesh definition
line y loc=0 spac=0.05
line y loc=0.6 spac=0.2
line y loc=1
line x loc=-1spac=0.2
line x loc=-0.2 spac=0.05
line x loc=0 spac=0.05
line x loc=1 spac=0.2
init orient=100
# Anisotropic silicon etch
etch silicon left p1.x=-0.218 p1.y=0.3 p2.x=0 p2.y=0
# Pad oxide and nitride mask
deposit oxide thick=0.02 div=1
deposit nitride thick=0.1 div=1
etch nitride left p1.x=0
etch oxideleft p1.x=0
# Field oxidation with structure file output for movie
diffuse tim=90 tem=1000 weto2 dump=1 dump.prefix=anoxex01m
tonyplot -st anoxex01m*.str
structure outfile=anoxex01_0.str
quit
實(shí)驗(yàn)截圖:
實(shí)驗(yàn)分析：
當(dāng)氧擴(kuò)散穿越已生長(zhǎng)的氧化劑時(shí)，它是在各個(gè)方向上擴(kuò)散的。一些氧原子縱向擴(kuò)散進(jìn)入硅，另一些氧原子橫向擴(kuò)散。這意味著在氮化硅掩膜下有著輕微的側(cè)面氧化生長(zhǎng)。由于氧化層比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化生長(zhǎng)將抬高氮化物的邊緣。這就是LOCOS氧化工藝中的“鳥(niǎo)嘴效應(yīng)”。這種現(xiàn)象是LOCOS氧化工藝中不受歡迎的副產(chǎn)物。氧化物較厚時(shí)，“鳥(niǎo)嘴效應(yīng)”更顯著。為了減小氮化物掩膜和硅之間的應(yīng)力，在它們之間熱生長(zhǎng)一層薄氧化層—墊氧。或者可以使用淺槽隔離技術(shù)來(lái)代替LOCOS，這樣就可以避免“鳥(niǎo)嘴效應(yīng)”。
E3:25.1:2.
go athena
#TITLE: Mixed Ambient Oxidation Example
# This example demonstrates mixed ambient oxidation in 1D
#
foreach gas (2. to 8. step 2.)
#
line x loc=0.0 sp=1.0
line x loc=1.0 sp=1.0
line y loc=0.0 sp=0.05
line y loc=1.0 sp=0.05
initialize
#
diffuse time=60 temperature=1000 f.o2=gas f.h2=20.
structure outfile=anoxex02_gas.str
#
end
tonyplot -st anoxex02*.str
quit
實(shí)驗(yàn)截圖
:
實(shí)驗(yàn)分析：
實(shí)驗(yàn)描述的是當(dāng)氣流中通過(guò)四種不同濃度比的由氧氣、水、氫、氮構(gòu)成的混合氣體時(shí)Si氧化成SiO2的不同程度，其中參數(shù)F.O2, F.H2O, F.H2, F.N2是每個(gè)氣流中流的氧氣、水、氫、氮的擴(kuò)散語(yǔ)句。由圖可以看出，不同的氣體比例會(huì)得到不同的氧化效果。潮濕的氧化環(huán)境水蒸氣在二氧化硅中擴(kuò)散的更快、溶解度更高，更有利于硅氧化生長(zhǎng)速率的加快。而無(wú)論是何種程度的氧化，二氧化硅的生長(zhǎng)都是要消耗硅的，氧化生長(zhǎng)的越多，硅消耗的越多。硅消耗的厚度占氧化物總厚度的0.46。氧化物生長(zhǎng)發(fā)生在氧分子通過(guò)已生成的二氧化硅層運(yùn)動(dòng)進(jìn)入硅片的過(guò)程中。
E3:25.1:9. go athena
#TITLE: Orientation dependent Oxidation Example
line y loc=0 spac=0.1
line y loc=4 spac=0.1
line x loc=-1 spac=0.1
line x loc=1 spac=0.1
#
#initialize with orientation of sidewalls along 100 direction init orient=100 rot.sub=0
method gridinit.ox=0.02 grid.ox=0.02
# Anisotropic silicon etch
etch silicon right p1.x=0.0 p1.y=2.0 p2.x=0.0 p2.y=0.0
# Field oxidation
diffuse time=20 tem=1000 wet
#
#
extract name="toxx" thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.50 extract name="toxy" thickness oxide mat.occno=1 y.val=1.05
# Save the structure
structure outfile=anoxex09_1.str
line y loc=0 spac=0.1
line y loc=4 spac=0.1
line x loc=-1 spac=0.1
line x loc=1 spac=0.1
#
#initialize with orientation of sidewalls along 110 direction init orient=100 rot.sub=45
# Anisotropic silicon etch
etch silicon right p1.x=0.0 p1.y=2.0 p2.x=0.0 p2.y=0.0
# Field oxidation
diffuse time=20 tem=1000 wet
篇三：(PECVD工序長(zhǎng))
GT-人事-15